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NTD4863N
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封装
备注
NTD4863N
ON
09+
0
TO-252
沟槽技术特点••低RDS(ON)导通损耗最小化•低电容最小化•优化的栅极电荷最大限度地降低开关损耗•这些无铅器件驱动器损耗
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FDD6296
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