一般说明这n -通道MOSFET具有特别设计,以提高直流/直流转换器的整体使用效率同步或常规开关PWM控制器。这已低栅极电荷优化,低RDS(ON)和快速开关速度。
特点· 50A条,30 V的的RDS(ON)= 8.8毫瓦@的VGS = 10伏的RDS(ON)= 11.3毫瓦@的VGS = 4.5V时·低栅极电荷·快速切换非常低的RDS ·高性能沟槽技术(上)