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IXFN80N50P

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IXFN80N50P 封装SOT - 227B IXYS代理IXFN80N50P功率MOSFET

描述：极地™HiPerFETs同时降低RDS（ON）（500V至1200V）
封装形式：SOT - 227B 特点
快速的内在二极管
国际标准包
升非钳位感应开关（UIS）
额定
升UL认证。
升隔离安装基座
优势
升易于安装
升节省空间
高功率密度

公司名称：深圳市凌颐电子联系电话：0755-82518445

地址：深圳市福田区福虹路世贸广场C座1005

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