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IXFN66N50Q2

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IXFN66N50Q2 封装SOT - 227B IXYS代理IXFN66N50Q2功率MOSFET

说明：高功率Q2级低栅极电荷和超高速HiperFETs

封装形式：SOT - 227B

特点
􀁺低双金属工艺
栅极电阻
􀁺miniBLOC，与氮化铝
隔离
􀁺非钳位感应开关（UIS）
额定
􀁺低封装电感
􀁺快速内在整流器
应用
􀁺DC - DC转换器
􀁺开关模式和谐振模式
电源供应器
􀁺直流斩波器
􀁺脉冲发生器
优势
􀁺易于安装
􀁺节省空间
􀁺高功率密度

公司名称：深圳市凌颐电子联系电话：0755-82518445

地址：深圳市福田区福虹路世贸广场C座1005

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