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IXFK26N60Q

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IXFK26N60Q 封装TO - 264 IXYS代理IXFK26N60Q功率MOSFET

描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）
封装形式：TO - 264

特点
􀁺低栅极电荷
􀁺国际标准包
􀁺环氧符合UL94 V - 0级，易燃
分类
􀁺低RDS（ON）HDMOSTM过程
􀁺坚固的多晶硅栅单元结构
􀁺雪崩能源和额定电流
􀁺快速内在整流器
优势
􀁺易于安装
􀁺节省空间
􀁺高功率密度

公司名称：深圳市凌颐电子联系电话：0755-82518445

地址：深圳市福田区福虹路世贸广场C座1005

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