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IXFT26N60Q

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IXFT26N60Q 封装TO-268 (D3) IXYS代理IXFT26N60Q功率MOSFET

描述：高电压的Q -级HiPerFETs（高达1200V）
封装：TO-268 (D3) ( IXFT)

特点
  低栅极电荷
  国际标准封装

环氧符合UL94 V - 0级，易燃
分类
  低RDS（ON）HDMOSTM过程
  坚固的多晶硅栅单元结构
  雪崩能量和额定电流
  快速的内在整流器
优势
  易于安装
  节省空间
  高功率密度

公司名称：深圳市凌颐电子联系电话：0755-82518445

地址：深圳市福田区福虹路世贸广场C座1005

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