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IXFH30N60P 封装TO- 247 IXYS代理IXFH30N60P功率MOSFET
描述:极地™HiPerFETs降低RDS(ON)(500V至1200V)
封装形式:TO- 247
特点
l快速恢复二极管
升钳位感应开关(UIS)
额定
l国际标准封装
l低封装电感
- 易于驱动器和保护
公司名称:深圳市凌颐电子 联系电话:0755-82518445
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