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IXFT30N60P

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IXFT30N60P 封装TO- 268 IXYS代理IXFT30N60P功率MOSFET

描述：极地™HiPerFETs降低RDS（ON）（500V至1200V）

封装形式：TO- 268

特点

l快速恢复二极管
升钳位感应开关（UIS）
额定
l国际标准封装
l低封装电感
- 易于驱动器和保护

公司名称：深圳市凌颐电子联系电话：0755-82518445

地址：深圳市福田区福虹路世贸广场C座1005

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