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FQPF33N10

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
FQPF33N10 fsc 10+ 800 to220f
特点•18A条，为100V，的RDS（on）=0.052Ω@的VGS = 10伏•低栅极电荷（典型值38北卡罗来纳州）•低Crss（典型值62 pF）的快速切换••100％雪崩测试•改进的DV / dt的能力• 175 ° C的最高额定结温
一般说明这些N沟道增强型功率场效应晶体管都采用飞兆半导体专有的平面条形，DMOS技术。这种先进的技术已特别针对以尽量减少对通态电阻，提供出色的开关性能，并经受了雪崩和减刑模式高能量脉冲。这些器件非常适合低电压应用，例如音频放大器，开关DC / DC转换器的高效率，直流电机控制。
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