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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
IRFI540G | vishay | 10+ | 800 | to220f |
特点•隔离封装•高电压绝缘= 2.5 kVRMS(吨= 60秒,女= 60赫兹)•库的铅爬电距离= 4.8毫米•175 ° C工作温度•动态的dV / dt的评分•低热阻•铅(铅),免费提供
描述
第三代功率MOSFET提供从威世
设计师与快速切换的最佳组合,
坚固耐用的设备设计,低导通电阻和
成本效益。
的TO - 220 FULLPAK消除了对额外的需求
绝缘商业工业应用的硬件。
成型复合使用提供了一个高隔离
能力和低之间的标签,热敏电阻
外部散热器。这种隔离是相当于使用100
微米与标准的TO - 220产品云母障碍。该
FULLPAK是安装在散热器使用一个片段或
单螺杆固定。