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IRLML2502

说明
这些来自国际整流器N沟道MOSFET采用先进的加工技术，以实现极上的每硅片面积阻力低。这样做的好处，随着开关速度快和坚固耐用的设备的设计thatHEXFET⑧是众所周知的功率MOSFET的结合，提供了一个电池和负载管理使用非常有效和可靠的设备的设计师。
增强型散热垫大引线框架已被纳入标准的SOT - 23封装生产具有业界最小的足迹HEXFET功率MOSFET。这个软件包，被称为Micro3?，是理想的应用在印刷电路板空间非常珍贵的。低轮廓? 1.1毫米）的Micr03允许它适合，如便携式电子产品和PCMCIAcards极薄的应用环境容易。热电阻和功耗是最好的 。