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IRF3205

?先进的工艺技术
?超低导通电阻
?动态的dv / dt的评级
?工作温度1750C
?快速开关
?全额定雪崩
e
      佛斯= 55V的
活性氧（上）= 8.0mQ
罗= 110A⑤
S
说明
先进的HEXFET ?功率MOSFET采用由国际整流器先进的加工技术，以实现极上的每硅片面积阻力低。这样做的好处，与开关速度和加固装置设计的H EXFET功率MOSFET是众所周知的快速结合，提供了一个广泛的应用在各种使用非常有效和可靠的设备的设计师。
的TO - 220封装普遍首选的功耗水平在所有的商业，工业应用，以约50瓦。低热阻和向- 220封装成本低有助于其在整个业界的广泛接受。
绝对最大额定值
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