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由于采用COOLiRFET硅技术,40V AUIRF8736M2与上一代设备相比,导通电阻(Rds(on))改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。 双面冷却的中罐式DirectFET2 功率封装提供卓越的热性能和极低的寄生电感。
IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“AUIRF8736M2将COOLiRFET硅性能和DirectFET2 封装相结合, 可在相同的占位面积内将导通电阻改善40%,也可以提供与大罐式器件相同的性能,即可以减少50%的封装面积,为汽车应用提供更小的系统尺寸和成本。”
新器件符合AEC-Q101标准,是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的,采用不含铅的环保封装,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。
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