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飞思卡尔推出突破性的超宽带RF功率GaN晶体管

飞思卡尔半导体[NYSE:FSL]日前推出两款采用全新先进塑料封装的超宽带RF功率氮化镓(GaN)晶体管。借助这些新型封装和产品，飞思卡尔正在释放GaN性能的真正潜力，并在提供业界最佳性能的GaN器件方面，已经取得了重大突破。

　　飞思卡尔高级副总裁兼射频业务部总经理Paul Hart表示：“借助这两款业界领先带宽的产品，我们的客户采用一个射频器件替换两个甚至三个独立的RF PA器件，大大降低了系统成本。 此外，这些器件具有超低的热阻，可使客户降低冷却系统的成本，而且它们能够以全连续波(CW)额定功率运行，满足更高温度的应用情况。”

　　OM-270新封装提供双引脚和八引脚配置，还可将飞思卡尔专用OMNI™ RF塑封技术拓展至最小外形封装中，并增加与GaN的兼容性。

　　飞思卡尔Fellow兼RF封装开发部负责人Mali Mahalingam表示：“我们不断创新，采用冶金方式将GaN-on-SiC芯片与铜法兰相结合，然后将它们模压塑形，实现前所未有的热性能。此外，这种新封装的平台支持复杂的内部匹配方案，实现卓越的宽带性能。”

　　飞思卡尔以下两个封装的RF功率GaN晶体管充分利用这种先进的封装技术，提高性能水平：

　　· MMRF5015N：这是一款真正的CW超带宽GaN晶体管，功率为100W，电压为50V，非常适合高功率军用和民用通信系统。MMRF5015N的热阻不到0.8°C/W，这表明它比同类竞争产品的热阻性能高30%以上。MMRF5015N样品可以在评估套件中提供，展示前所未有的200-2500MHz带宽，实现全频段天线至少12db的增益和40%的效率提高。

　　· MMRF5011N：这是一款真正的CW超带宽晶体管，功率为10W，电压为28V，在可用应用电路中带宽为200-2600MHz。MMRF5011非常适合更低功耗的军用和民用手持无线电通信设备，现在已开始提供样品。

　　飞思卡尔将在2015年国际微波会议(IMS)第3031号展位展示和演示这些晶体管。

　　这两款新产品计划2015年第三季度批量生产，它们包含在飞思卡尔产品长期供货计划内，因为所有产品都属于射频军用产品组合。