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代理供应 ISL6612ACBZ-T 现货库存 ISL6612ACBZ-T 中文资料

ISL6612ACBZ-T 产品说明

ISL6612A和ISL6613A是专为上部和下部功率N沟道MOSFET驱动器中的同步整流降压转​​换器拓扑的高频MOSFET驱动器。这些结合HIP63xx或ISL65xx多相降压PWM控制器和N沟道MOSFET驱动器，形成了完整的核心电压稳压器解决方案，先进的微处理器。

 

ISL6612A驱动器上部门至12V，而较低的门可以独立驱动，一个从5V至12V的范围。 ISL6613A驱动一个5V至12V上下的门。这种驱动电压提供了必要的灵活性，以优化应用涉及栅极电荷和导通损耗之间的权衡。

 

先进的自适应零拍是通过保护结合起来，以防止上下两个MOSFET的同时进行，以尽量减少死区时间。这些产品添加过压保护功能运作，在VCC超过开启阈值，PHASE节点连接到低边MOSFET（LGATE）的栅极。转换器的输出电压是有限的低边MOSFET，它提供了一些保护微处理器，如果上部MOSFET（S）是在初始启动短路的门槛。

 

这些驱动器还具有三态PWM输入，与Intersil的多相PWM控制器一起工作，防止负瞬态输出电压时，输出关闭。此功能消除了肖特基二极管，在某些系统中用于负载免受反向输出电压事件。

 

主要特点

与HIP6601的SOIC家族引脚对引脚兼容

同步整流桥的双MOSFET驱动器

先进的自适应零击穿通过保护

体二极管的检测

的RDS（ON），自动调零传导偏移的影响

最佳效率可调栅极电压（5V至12V）

36V内部自举肖特基二极管

自举电容的滥收费用的预防

支持高开关频率（高达2MHz）

3A灌电流能力

快速上升/下降时间和较低的传播延迟

三态PWM输入输出级关断

三态PWM电源排序要求的应用程序的输入迟滞

预POR过压保护

VCC欠压保护

可扩展的底部，增强散热的铜垫

双扁平无引线（DFN）封装

近芯片级封装尺寸，改善PCB效率在个人资料和稀释剂

无铅加退火（符合RoHS）

 

深圳市劭旸电子有限公司 电话：0755-23822252

传真：0755-23962251

公司地址：深圳市福田区福虹路国际科技大厦3605

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