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RFMD公司近日宣布,他们已成功利用公司现有标准6英寸半导体设备生产出集成GaAs(砷化镓)和InGaP(磷化铟镓)的双结光伏单元(dual-junction PV cells)。双结光伏单元的成功研制保证了未来三结结构(triple-junction structures)的发展,其最终目的是开发一种商业上可行的和具有高量产能力的高性能复合半导体太阳能电池。
该成果是RFMD公司自2009年开始与美国国家可再生能源实验室(NREL)合作的结果。NREL在太阳能电池技术方面有数十年的研究经验,他们的合作以NREL的电池设计知识产权为基础,开发高效能多结光伏电池的商用高产复合半导体制程,以便生产高性能太阳能电池。NREL的技术已证明他们的太阳能电池转换效率最高可达40.8%。
该双结光伏单元的生产采用了RFMD公司的生产线,该生产技术具有高量产、低成本、高可靠性及高性能的特点。RFMD公司的6英寸晶圆的转换效率非常一致,在CPV产品性能上保证了高量产和紧密分布的特性。