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S3C2440A30-YQ80

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
S3C2440A30-YQ80 SAMSUN 10 500 BGA

特征
·电压供应
     - 1.8V的设备（K9F1208Q0B）：1.70?1.95V
     - 2.65V至装置（K9F1208D0B）：2.4?2.9V时
     - 3.3V器件（K9F1208U0B）：2.7?3.6伏
·组织
   - 记忆体单元阵列：（64M的+ 2048K）位× 8位
   - 数据寄存器：（512 + 16）位× 8位
·自动编程和擦除
   - 页面程序：（512 + 16）字节
   - 块擦除：（16K的+ 512）字节
·页读操作
   - 页面的大小：（512 + 16）字节
   - 随机访问：15毫秒（最大）
   - 串行页访问：为50ns（最小）
·快速写周期时间
   - 节目时间：200毫秒（典型）
   - 块擦除时间：2毫秒（典型）
·命令/地址/数据多路复用I / O端口
·硬件数据保护
   - 编程/擦除锁定在电源转换
·浮动门技术可靠性的CMOS
   - 耐力：100K的编程/擦除周期
   - 数据保存：10年
·命令寄存器操作
·智能复制回
·独特的ID版权保护
·包装
   - K9F1208X0B-YCB0/YIB0
    48 - 脚TSOP我（12 × 20 / 0.5 mm间距）
   - K9F1208X0B-GCB0/GIB0
    63 - 球FBGA（8.5 × 13，1.0毫米宽）
   - K9F1208U0B-VCB0/VIB0
    48 - 针的WSOP我（12X17X0.7mm）
   - K9F1208X0B-PCB0/PIB0
    48 - 脚TSOP我（12 × 20 / 0.5 mm间距） - 无铅封装
   - K9F1208X0B-JCB0/JIB0
    63 - 球FBGA - 无铅封装
   - K9F1208U0B-FCB0/FIB0
    48 - 针的WSOP我（12X17X0.7mm） - 无铅封装
      * K9F1208U0B - V时，楼（WSOPI）是相同的装置，如
         K9F1208U0B - Y的，磷（TSOP1）除封装类型。

概述
在64Mx8bit为512M的K9F1208X0B发售与备用容量1600万位的位。该器件提供1.8V和2.65V至，3.3伏的VCC。其
NAND单元提供了大量的固态存储市场最具成本效益的解决方案。一个程序可以进行操作
在对528字节的页和一个典型的200ms执行擦除操作可以在上一个16K字节的块典型为2ms。页面中的数据
可以读出每字节的周期时间为50ns。该I / O引脚充当地址和数据输入/输出端口以及命令
输入。片上写控制自动完成所有程序和擦除包括脉冲的重复，在必要的功能，内部
核查和裕度的数据。即使是写密集型系统可以利用K9F1208X0B ￠优势的延伸可靠性
100K的写入/擦除提供实时映射出算法ECC（错误纠正代码）周期。是一本K9F1208X0B
最佳的解决方案大型非易失性存储应用，如固态文件存储和其他需要便携式应用
非波动。

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