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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
H11D1 | 仙童 | 10+ | 10000 | DIP/SOP | Original 全新原装 |
特点•点击率在IF = 10毫安,BVCER = 10五:≥20%•良好的点击率和点击率较低的正向电流••线性退化非常高集电极发射极击穿电压 - H11D1/H11D2,BVCER = 300伏 - H11D3/H11D4,BVCER =为200 V•隔离测试电压:5300 VRMS的低耦合电容••高共模瞬变免疫•封装与基地连接•无铅(Pb),按照•免费组件的组件符合RoHS 2002/95/EC和WEEE九十六分之二千零二/欧共体
描述该H11D1/H11D2/H11D3/H11D4是非常高的BVCER光耦合器。他们的目的是为电信应用程序或者任何申请,要求高直流阻断电压。相同的H11D1/H11D2和H11D3/H11D4是相同的。