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DS1270Y-70IND

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
DS1270Y-70IND DALLAS 08+ 2000 DIP-36
拥有5年以上数据在外部电源的情况下保存数据时会自动断电保护无限写入周期，低功耗CMOS读取和写操作的速度存取时间为70锂电能量来源是保持新鲜，直至断开电源应用生理盐水首次± 10％VCC工作范围（DS1270Y）可选择± 5％VCC工作范围（DS1270AB）可选的-40 ° C工业温度范围为85 ° C时，指定实业
描述
16M的非易失静态存储器的DS1270是16,777,216位，全静态非易失性组织为静态存储器
2,097,152 8位字。每个非易失SRAM具有自包含的锂能源和控制
电路，不断地监视VCC时，一个不折不扣的耐受性条件。当这种情况发生时，
锂能源是自动开启，并写保护是无条件启用
防止数据损坏。没有任何限制的写周期可以执行，没有号码
额外的支持电路所需的微处理器接口。
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