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H57V2562GTR-60C

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
H57V2562GTR-60C HYNIX 10 10000 TSOP54
描述
海力士H57V2562GTR同步DRAM是268435456位CMOS同步DRAM，理想适合的浓度，
苏美尔存储器应用，需要大量的存储密度和高带宽。它是作为对4banks
4,194,304 × 16的I / O
同步DRAM是一种类型的DRAM，这与输入时钟同步运作。海力士同步
DRAM的闩锁在一个基本的输入时钟（CLK）和输入/输出数据同步上升，各控制信号的边缘
与输入时钟（CLK）。地址线复用的数据输入/输出信号在复用X16的
输入/输出总线。所有的命令都锁定在同步的CLK的上升沿。
该同步DRAM提供了可编程的读或写突发长度可编程突发长度：1，2，4，
8个地点或整页。一个自动预充电功能可能被启用，以提供一个自定时行预充电是
开始在接入端的爆裂。该同步DRAM使用内部流水线架构，从而实现
高速运行。这种架构是compartible与预取架构为2n规则，但它也允许
要改变列地址在每个时钟周期，以实现高速，完全随机访问。预充一
在访问银行，其他三家银行将隐藏预充电周期，并提供无缝，高速一，
兰登访问操作。
读取和写入访问的海力士同步DRAM是突发导向;
访问开始在选定的位置，继续在不同地点编程顺序编程的数量。
访问开始与一个活跃的命令，然后由一读或写命令后登记。
登记的地址位重合的活动命令用于选择银行和行进行
访问。登记的地址位重合的读或写命令用于选择银行和
为突发访问起始列位置。
所有的LVTTL输入兼容。设备将有一个3.3V的（名义）VDD和VDDQ电压。
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