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AT45DB161D-SU

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
AT45DB161D-SU AT 10+ 5000 SOP8 Original 全新原装
特点
?2.5V单 - 3.6或2.7V - 3.6V电源
?激流?串行接口：66 MHz的最大时钟频率
- 兼容的SPI模式0和3
?用户可配置的页面大小
- 512字节每页
- 528字节每页
- 页面大小可以预先设定为512字节厂
?页编程操作
- 智能编程操作
- 4096页（528分之512字节/页）主内存
?灵活的删除选项
- 页擦除（512字节）
- 块擦除（4字节）
- 扇区擦除（128字节）
- 芯片擦除（16兆位）
?两个SRAM数据缓冲器（五百二十八分之五百一十二字节）
- 允许接收数据，而再编程闪存阵列
?连续读取功能贯穿于整个阵列
- 非常代码映射应用
?低功耗
- 7毫安有效的读目前典型
- 25μA的典型待机电流
- 9μA的深度节能典型
?硬件和软件数据保护功能
- 个别部门
?为安全的代码和数据存储领域锁定
- 个别部门
?安全：128安全寄存器字节
- 64个字节的用户可编程空间
- 唯一的64字节设备标识符
?JEDEC标准的制造商和设备ID读取
?100,000编程/擦除周期的最低每页
?数据保存 - 20年
?工业级温度范围
?绿色（铅/无卤化物/符合RoHS）封装选择
说明
该AT45DB161D是一个2.5伏或2.7伏，串行接口顺序访问Flash
内存非常适合于各种各样的数字语音，图像，程序代码和
数据存储应用。急流的AT45DB161D支持串行接口
适用于需要非常高的速度运作。兹为SPI串行接口的COM
patible频率高达66兆赫。其17301504位存储器被组织成
4,096字节或512页，每页528字节。除了主存储器，
AT45DB161D还包含两个字节每个SRAM的五百二十八分之五百一十二缓冲区。缓冲区
允许接收数据，同时在主内存页面被重新编程，
以及写作的连续数据流。 EEPROM仿真（位或字节alterabil -
景军）是很容易处理的一个自包含的三个步骤读修改写操作。
不同于传统的快闪记忆体是随机存取多
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