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S29AL032D70TFI040

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
S29AL032D70TFI040 SPANSION 09+ 5000 TSOP

说明
该S29AL032D是32兆，3.0伏只快闪记忆体装置，为2,097,152举办
每个字的16位或8位的每一位4,194,304字节。字模式数据显示在DQ0 - DQ15;
字节模式数据显示在DQ0 - DQ7。该装置的设计是在系统编程与
标准的3.0伏的VCC电源，也可以在标准EPROM编程器编程。
该设备是高达70 ns的快速存取时间可用。这些器件提供40引脚的TSOP，
48 - pin TSOP和48球FBGA封装。标准控制引脚的芯片使能（CE＃），写使能
（我们＃）和输出使能（OE＃）控制正常的读，写操作，避免巴士了CON -
张力的问题。
该装置只需要一个3.0伏进行读取和书写功能的电源。在-
内部产生的电压和监管提供了亲克和擦除操作。

特点
有抵押硅业是一个额外的部门由Spansion公司被永久锁定功能
或客户。有抵押硅指示位（DQ7）是永久的设置为1，如果该部件
工厂锁定，并设置为0如果客户锁定。这样，客户可锁定部分不能
用来取代锁定一部分工厂。请注意，有担保硅S29AL032D
扇区大小为128字（256字节）。
工厂锁定部件提供多种选择。有抵押硅部门可以存储一个安全，然
DOM的16字节的ESN（电子序列号），客户代码（通过了Spansion编程
编程人员），或两者兼而有之。
该S29AL032D指令集完全兼容JEDEC的单电源
闪光的标准。命令写入命令寄存器使用标准的微处理器
写时序。寄存器的内容作为输入到内部的状态机来控制
擦除和编程电路。写周期也可以内部锁存地址和所需的数据
编程和擦除操作。读出设备的数据读取类似
其他Flash或EPROM器件。
设备编程时通过执行程序指令序列。这将启动的EM -
层状程序算法，算法的内部程序自动时代脉搏
宽度和验证适当的细胞保证金。解锁旁路模式有利于更快的编程
倍只需要两个写周期，而不是四个程序数据。
通过执行发生设备擦除，擦除命令序列。这将启动嵌入式
擦除算法的内部算法，可自动preprograms阵列（如果不是基地
准备程序），然后执行擦除操作。在擦除，设备会自动
次擦除脉冲宽度和验证适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否编程或擦除操作是通过观察完成
Ry的/按＃引脚，或通过阅读DQ7（资料＃轮询）和DQ6主板（切换）状态位。经过亲
克或擦除周期已经完成，设备已准备好读取数据或接受另一个数组
命令。
该部门擦除存储器部门架构允许被擦除和重新编程无
影响其他部门的数据内容。该设备完全清除时，从运
工厂。
硬件数据保护措施还包括低电压检测器，可自动禁止写入
行动期间，电源转换。部门保护功能的硬件都禁用
编程和擦除任何部门的内存组合操作。这可以实现
在系统或通过编程设备。

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