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NAND256W3A2BN6E

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
NAND256W3A2BN6E ST 09+ 5890 TSOP-48
说明概要
528字节的NAND闪存/ 264字的页面是一
非挥发性快闪记忆体的家庭使用
单级单元（SLC）NAND单元技术。
这是被称为小页面家庭。在去
恶习范围从128Mbits到1Gb容量和运行
采用1.8V或3V的电源电压。的大小
一个页面可以是528字节（512 + 16备用）或264
词（256 + 8备用），视乎
设备有一个x8或x16总线宽度。
地址线复用的数据在
把/输出信号的复用x8或x16在-
把/输出总线。此接口减少了引脚
计数，并有可能迁移到其他
密度不改变的足迹。
每块可进行编程和擦除以上
10万次。为了延长寿命的NAND
闪存设备，强烈建议imple -
彪错误校正码（ECC）。一写
保护引脚提供给硬件防护，
tion对编程和擦除操作。
这些器件具有一个开漏就绪/忙
输出，可用于确定是否计划/
擦除/读取（的P / E / R）的控制器是目前活跃。
一个开漏输出，请允许就绪/
从几个记忆忙引脚连接
到一个上拉电阻。
一个副本备份命令可用来优化
管理缺陷块。当一个页面
程序运行失败，可以对数据进行亲
在另一页CKSEL必须编程，而无需重新
发送数据进行编程。
这些器件可以在以下packag -
胚胎干：
12 × 20毫米■TSOP48所有产品
■USOP48 12 × 17 × 0.65毫米的的128Mb，256Mb的
和512Mb产品
■VFBGA55（8 × 10 × 1毫米，6 × 8球阵列，
0.8mm间距）为128MB和256MB产品
■TFBGA55（8 × 10 × 1.2毫米，6 × 8球阵列，
0.8mm间距）为512Mb的双模具产品
■VFBGA63（9 × 11 × 1毫米，6 × 8球阵列，
0.8mm间距）为512MB产品
■TFBGA63（9 × 11 × 1.2毫米，6 × 8球阵列，
0.8mm间距）为1GB双模具产品
有两个选项可用于NAND闪存
家庭：
芯片使能不关心，这使得代码以
直接下载由单片机，随着芯片
在转换的延迟时间不启用
停止读操作。
一个序列号，使每个器件进行
唯一标识。序列号的选项是
受保密协议（保密协议）
因此在数据表中没有描述。欲了解更多
这个方案的详情请联系就近的意法半导体销售
办公室。
有关如何订购这些选项参考信息
表28。，订购信息计划。德
罪恶被运到0人同座工厂
如何有效和内存内容位，在有效
块擦除为'1'。
见表2。，产品说明，对于所有的取消
在家庭中可用的恶习。
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