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AM29F040B-90JC

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
AM29F040B-90JC AMD 07+ 20000 PLCC
概述
该Am29F040B是4兆，5.0伏特，只有Flash膜，
ory组织为524,288字节的8位的每一位。该
512字节的数据被分为八个部门64
字节擦除功能灵活每个。 8位
数据显示在DQ0 - DQ7。是提供的Am29F040B
32引脚PLCC，TSOP封装和PDIP封装。此装置
要编程设计与斯坦在系统，
dard系统5.0伏的VCC电源。 12.0伏VPP是不
需要写或擦除操作。该设备可
也可以在标准EPROM编程器编程。
这个装置是采用AMD的0.32微米亲
塞斯技术，并提供所有的功能和
在Am29F040利益，这是制造
使用0.5微米工艺技术。此外，
Am29F040B有第二个触发位，DQ2，也是，
联邦政府雇员退休制度的方案，在擦除暂停模式的能力。                                                                                                                          该标准Am29F040B提供55访问时间，
70，90，120和150类，允许高速微处理器的
cessors操作，无需等待状态。为了消除总线
争论的设备有单独的芯片使能（CE＃），
写使能（WE＃）和输出使能（OE＃）控制。
该装置只需要一个单一的5.0伏电源线上，
层进行读取和书写功能。内部
电压生成和调控提供了
编程和擦除操作。
该设备完全兼容的指令集与
JEDEC的单电源闪存标准。 COM的
指令写入命令寄存器使用
标准的微处理器写时序。注册了CON -
帐篷作为输入到内部状态机
擦除和编程控制电路。写旋回
cles内部也需要锁存地址和数据
为编程和擦除操作。读
该设备的数据的是类似于从其他阅读
Flash或EPROM器件。
设备编程时通过执行程序
命令序列。这将启动嵌入式
程序算法的内部算法，自动
matically倍的脉冲宽度和验证方案
适当的细胞保证金。
通过执行发生设备擦除，擦除的COM
m与序列。这将启动嵌入式擦除
算法的内部算法，可自动
preprograms数组（如果它尚未编程）
在执行擦除操作。在擦除时，
设备会自动擦除时间和脉冲宽度
验证适当的细胞保证金。
主机系统可以检测是否程序或
擦除操作完成阅读DQ7（资料＃
轮询）和DQ6主板（切换）状态位。经过一个程序
或擦除周期已经完成，设备已准备就绪
数组数据读取或接受其它命令。                                                                                                                                                该部门可擦除存储器部门架构
要擦除和重新编程，而不影响
其他部门的数据内容。该设备是完全
擦除时，从出厂。
硬件数据保护措施，包括低
VCC的探测器，可以自动抑制写操作
在电源转换系统蒸发散。硬件领域
保护功能禁止两个编程和擦除
行动在任何部门的膜组合，
ory。这可以通过以下方式实现编程设备。
擦除挂起功能使用户能够把
擦除任何一段时间，以读取数据从持有，
数据或程序，任何部门不选择
擦除。真正的背景擦除因此可以实现。
该系统可以将进入待机模式的装置。
功率消耗大大降低，这种模式。
AMD的闪存技术相结合的Flash年
记忆体制造经验，生产
质量，可靠性和成本效益最高水平，
内斯。该装置内的电擦除所有位
部门通过福勒-诺德海姆同时隧道。
这些数据是使用热电子注入编程。                                                         
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