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ASM International N.V. 和 SAFC Hitech™签订认证制造厂商与合作协定

ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich®子公司SAFC®旗下的SAFC Hitech™今天宣布针对进阶超介电常数绝缘层(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子层沉积(ALD)原料签订认证制造厂商与合作协定。 该协定提供化学原料之认证标准、特定ASM  ALD 专利之授权许可，以及针对这些化学原料的行销与进阶开发合作关系。


最新开发的 “环戊二烯”(cyclopentadienyl) 材料能够让次世代以锶(Strontium)和钡( Barium )为基础的超高介电常数绝缘层具备超过100的介电常数。相较之下，目前量产的以锆( Zirconium) 和 铪(Hafnium )为基础的高介电常数绝缘层，其介电常数则低于30至40。具较高介电常数的绝缘层能够让装置制造厂商为DRAM记忆体晶片生产更小的电容，和替微处理器生产更小的晶体管。这些超高介电常数的材料预期将从约2011年起供应3x nm节点记忆体生产之需求。