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SST25VF016B

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
SST25VF016B SST8 10+8 6000 SOP88
特点：•单电压读写操作 - 2.7 - 3.6V的•串行接口架构 - SPI兼容：模式0和模式3•高速时钟频率-50兆赫
•卓越的可靠性 - 耐力：100,000周期（典型值） - 大于100年的数据保存•低功率消耗： - 有效的读电流：10 mA（典型值） - 待机电流：5μA（典型值）•灵活的擦除功能 - 制服4 K字节部门 - 均匀覆盖32 K字节块 - 均匀覆盖64 K字节的块•快速擦除和字节的程序： - 芯片擦除时间：35毫秒（典型） - Sector-/Block-Erase时间：18毫秒（典型） - 字节的程序时间：7μs（典型值）•自动地址增量（AAI）的规划 - 减少总额超过字节编程操作芯片编程时间•终了写检测 - 软件查询状态寄存器中的BUSY位 - 忙碌特奥在AAI的模式•引脚状态读数保持引脚（HOLD ＃） - 没有取消选择该设备的串行序列挂起到内存
•写保护（可湿性粉剂＃） - 启用/禁用状态锁定降功能寄存器•软件写保护 - 通过写块保护位保护状态寄存器•温度范围 - 商业：0 ° C至+70℃ - 工业：-40 ° C至+85 ° C的•封装 - 8引脚SOIC（200密耳） - 8触点WSON（6毫米× 5毫米）•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
SST公司的25系列串行闪存系列采用了四线，
SPI兼容接口的低引脚数可
包所占用的电路板空间，最终
降低整体系统成本。该SST25VF016B设备
加强与改进工作频率，甚至
低于原SST25VFxxxA功耗
设备。 SST25VF016B SPI串行闪存的记忆
制造的SST公司的专利，高性能
的CMOS SuperFlash技术。分体式栅单元设计
厚氧化层隧道获得更好的可靠性和注射器
可制造性与替代方法。
该SST25VF016B设备显着提高perfor -
曼斯和可靠性，同时降低功耗。
这些器件写（编程或擦除）与单电源
供应2.7 -为SST25VF016B 3.6V之间。总能量
消费是一种施加电压，电流，
时间的应用。因为对于任何给定的电压范围，
使用较少的SuperFlash技术方案和电流
有一个较短的擦除时间，总能量消耗在
任何擦除或编程操作是比其他的少
快闪记忆体技术。
该SST25VF016B器件提供了8引线SOIC
（200密耳）和8触点WSON（6毫米× 5毫米）封装。
参见图1引脚分配。
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