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AT45DB642D-TU

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
AT45DB642D-TU ATMEL 10+ 8000 TSSOP28
特点 66 MHz的最大时钟频率SPI兼容模式0和3 Rapid8™8位接口：：50 MHz的最大时钟频率•用户可配置页大小 - 3.6V电源•双接口架构的急流™串行接口 - 特性•单一2.7V每页1024字节 - 1056字节•每页页编程操作 - 智能编程操作 - 8192页（一千〇五十六分之一千〇二十四字节/页）记忆体•灵活的删除选项 - 页擦除（1字节） - 块擦除（8字节） - 部门擦除（256字节） - 芯片擦除（64兆位）•两个SRAM数据缓冲器（一千零五十六分之一千零二十四字节） - 允许接收数据，同时通过整个阵列重新编程闪存阵列•连续读取功能 - 非常代码映射应用•低功耗 - 10毫安有效的读目前典型 - 串行接口 - 10毫安有效的读目前典型 - 8位接口 - 25μA的典型待机电流 - 9μA的典型深度节能降
•硬件和软件数据保护功能 - 个别部门•常驻部门锁定为安全的代码和数据存储 - 个别部门•安全性：128字节的安全寄存器 - 64字节的用户可编程空间 - 唯一的64字节的设备标识符•JEDEC标准的制造商和设备ID阅读•100,000编程/擦除周期每页最低•数据保存 - 20年•格林（铅/无卤化物/符合RoHS）封装选项•温度范围 - 工业级：-40 ° C至+85 ° C的
说明
该AT45DB642D是2.7伏，双接口顺序存取快闪记忆体的理想选择
的数字语音，图像，程序代码和数据存储应用广泛。该
AT45DB642D支持急流串行接口和Rapid8 8位接口。急流串行接口
面对为SPI频率高达66 MHz的兼容。这种双接口允许专用
串行接口连接到DSP和一个专用的8位接口，可以连接到一
微控制器或反之亦然。但是，任何一个接口的使用是完全可选的。其
69206016位存储器被组织成8,192 1,024字节（二进制页面大小）或网页
1056字节（标准的DataFlash页面大小）每个。除了主存储器，
AT45DB642D还包含两个1,024（二进制缓冲区大小）字节/ 1,056字节SRAM缓冲器
（标准的DataFlash缓冲区大小）每个。缓冲区允许接收的数据，同时在一个页面
主存储器进行重新编程，以及写作的连续数据流。 EEPROM中
仿真（位或字节变性）是很容易处理的一个自包含的三个步骤读修改，
写操作。不同于传统的快闪记忆体是随机存取多
地址线和一个并行接口，无论是瀑布的DataFlash使用串行接口或
8位Rapid8接口顺序访问其数据。简单的顺序访问大大
积极引脚数减少，有利于硬件布局，提高了系统的可靠性，最大限度地减少
开关噪声，减小了封装尺寸。该器件经过优化，使用在许多商业
并在高密度，低引脚数，低电压和低功耗的工业应用
必不可少的。
为了让简单的在系统重新编程，不需要的AT45DB642D高投入
电压进行编程。该器件工作在单电源，2.7V至3.6V的，对于
在方案和读取操作。启用该AT45DB642D通过芯片选择引脚
（CS）和通过一个三线的串行输入（SI），串行输出接口组成的访问
（所以）和串行时钟（SCK），或8位接口的输入/输出引脚（I/O7组成 -
I/O0）和时钟引脚（CLK）。
所有的编程和擦除周期是自定时的。
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