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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
DS1314S | DALLAS | 10+ | 8000 | SOP8 |
特征
转换功能的CMOS到非易失性存储器SRAM无条件写保护的SRAM当VCC出公差的自动切换到电池备份电源VCC电源发生故障时,显示器的锂电池电压,并提供先进的电池故障警告即将发生的信号低电池低电量的情况主动报警输出信号自动VCC电源失效为3.0V或3.3V的电源供应器节省空间的8引脚DIP和SOIC封装,检测可选16引脚SOIC和20引脚TSSOP封装版本的处理器时复位按住电源故障发生在系统上电时为-40 ° C工业温度范围在复位处理器至+85 ° C
描述在DS1314非易失控制器,带有电池监视器是CMOS电路,解决了非易失性内存转换成CMOS RAM中的应用问题。输入电源进行监测是否超出容限的条件。当检测到这种情况,芯片使能抑制实现写保护,电池切换到提供不间断电源的RAM。特殊的电路,采用了低泄漏CMOS工艺在其中能提供非常精确的低电池电压检测消费。