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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
CD4049 | 国产 | 10+ | 10000 | SOP-14 |
一般说明这些六角缓冲区单片(CMOS)的与N和P沟道增强型晶体管构建互补金属氧化物半导体集成电路。这些器件的逻辑电平转换功能,只用一个电源电压(VDD)。输入信号的高电平(VIH)的可超过VDD供电电压时,这些器件是逻辑电平凸- sions使用。这些器件适用于十六进制缓冲,以晶体管逻辑/ TTL电转换器的CMOS,或者CMOS电流驱动器使用,并在VDD é 5.0V的,他们可以直接驱动在整个工作温度范围内两个晶体管逻辑/ TTL负载。
特点Ÿ宽电源电压范围为3.0V至15V Ÿ直接驱动TTL负载超过2全温度范围内Ÿ高源5.0V和灌电流能力Ÿ特别许可证的输入电压输入保护比VDD更大