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SUD50N025-06P-E3

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
SUD50N025-06P-E3 VISHAY 10+ 1000 to
特征•N沟道垂直的DMOS•宏模型（模型子电路）•3级马鞍山•申请线性和开关应用•精确在-55到125 ° C温度范围•型号的栅极电荷，瞬态，二极管反向恢复特征
描述
所附的SPICE模型描述了典型的电
特色的n -通道垂直的DMOS。该子电路
模型被提取出来并在-55到125 ° C间优化
根据脉冲0 - V温度范围为10 - 10V栅极驱动。该
饱和输出阻抗是最适合在靠近门口的偏见
阈值电压。
      一种新型的栅漏电容反馈网络是用来模拟
栅极电荷特性，同时避免收敛困难
常德模型的开关。所有模型参数值进行了优化
提供最适合的测量电气参数，不
目的是作为一个确切的设备的物理解释。
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