型号 |
品牌 |
批号 |
数量 |
封装 |
备注 |
IR2233J |
IR |
10+ |
5 |
LDCC-44 |
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特点•浮动通道设计,充分运作运作,以引导+600 V或1200电压容限为负瞬态电压的dV / dt的免疫
•门极驱动电压范围从到20V直流10V/12V和高达瞬态所有通道•过电流•25V的欠压锁定关闭关闭所有六名司机•独立的3个半桥式驱动器•匹配的所有通道的传播延迟• •兼容2.5V的逻辑不符合投入产出•相也是出于同相输入提供无铅••也可输出无铅
说明
该IR2133IR2135/IR2233IR2355公司(J&S)的高电压,高
高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有三个独立的
高侧和低侧参考输出通道3相
申请。专有的HVIC技术使得耐用
单片建设。逻辑输入与CMOS兼容
或LSTTL输出,下降到2.5V的逻辑。一个独立的歌剧
周志武放大器提供了一个桥梁模拟反馈通过一个外部电流检测电阻器的电流。一个电流跳闸
功能,终止所有六个输出也来自这个电阻。关断功能可
终止所有六个输出。开漏故障信号,表明提供过流或欠压
关机的现象。清除故障条件与外语教学- CLR的领先地位。输出驱动器具有高脉冲
电流缓冲级,设计为最小驱动器跨导。传输延迟匹配使用,以简化
高频率的应用。浮动通道可以用于驱动N沟道功率MOSFET或IGBT的
高端配置,该配置可在高达600伏或1200伏。