型号 |
品牌 |
批号 |
数量 |
封装 |
备注 |
2SC5006 |
NEC |
09+ |
9000 |
SOT |
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特性•低电压。 •高的fT:4.5 GHz的典型值。 (@的VCE = 3伏,集成电路= 7毫安,频率为1千兆赫)•低酶Cre:0.7 pF的典型值。 (@的VCE = 3伏,IE浏览器= 0时,f = 1兆赫)•低因子:1.2分贝典型值。 (@的VCE = 3伏,集成电路= 7毫安,频率为1千兆赫)•高| S21e | 2:9分贝典型值。 (@的VCE = 3伏,集成电路= 7毫安,频率为1千兆赫)•超超级迷你模封装技术。绝对最大额定值(助教= 25˚C下)集电极基极电压VCBO 20 V的集电极到发射极电压VCEO 12伏电压VEBO基地发射器3.0 V的集电极电流IC 100 mA的总功耗125毫瓦太平洋结温Tj 150˚C储存温度Tstg -60到+150˚ç
描述的是一个NPN 2SC5006外延硅晶体管使用VHF频带低噪声和小信号放大器,以UHF频段设计的。低噪声系数,高增益和高电流能力达到一个非常宽的动态范围和优秀的线性度。这是通过钝化基面,工艺(NEST2过程),这是NEC的专有制造技术直接氮化物。