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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
IRFZ44NPBF | IR | 10+ | 10200 | TO220 |
先进的工艺技术的超低导通电阻动态的dv / dt的评分175 ° C工作温度快速开关额定雪崩完全无铅
说明:先进的HEXFET ?功率MOSFET从国际
整流器采用先进的加工技术,以实现
极低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
加上开关速度快,坚固耐用
设备的设计,良好的HEXFET功率MOSFET
闻名,提供了一个非常有效的设计师
可靠的装置在使用各种应用。
的TO - 220封装普遍首选的所有
在功耗商业工业应用
约50瓦的水平。低热量
电阻和的TO - 220封装成本低贡献
其整个行业所广泛接受。