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IDT06S60C

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
IDT06S60C infineon 2010 400

特点•革命性的半导体材料 - 碳化硅行为基准••开关无反向恢复/恢复•没有任何远期的开关行为•高浪涌电流能力•无铅引脚电镀温度的影响;•符合RoHS合格根据JEDEC1为目标）应用•击穿电压测试在5mA2）

4）只有电容充电的发生，由设计保证。 3）比赛时间是电容的位移电流波形（从TJ和ILOAD的和di / dt的独立），从社群推荐信任不同，它是基于TJ和ILOAD值，di / dt的依赖不断。无反向恢复时间常数社群推荐信任由于少数载流子注入的情况下。 1）日本STD20和JESD22 2）雪崩条件下测试的时间为5ms为5mA periode，所有的设备。

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