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SGP15N60

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
SGP15N60 infineon 2010 500
不扩散核武器条约中的快速技术•IGBT的75％为低埃夫上一代相比，具有低传导损耗联合•短路承受时间 - 10微秒•针对： - 电机控制 - 逆变器•不扩散核武器条约- 600V的技术应用提供： - 很紧参数分布 - 高耐用性，温度稳定的行为 - 并行交换能力
1）50毫米* 50毫米装置的环氧树脂* 1.5mm的FR4电路板与6平方厘米（一层，厚度为70μm）的集电极连接铜的面积。 PCB是没有吹空气垂直。 2）允许数量的短路：;：1秒<1000间短路时间>。
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