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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
SPP07N60C3 | infineon | 2010 | 1000 |
特色•新的革命高电压技术•超低栅极电荷•定期雪崩额定•极端的dv / dt的峰值额定电流能力•高跨导••改进的P -的TO - 220 - 3 - 31:完全隔离封装(2500伏; 1分钟)
1Limited的最高温度2Repetitve雪崩不仅造成额外的电源,可作为PAV老化=计算损失的EAR *楼40毫米* 40毫米的3Device *与6厘米²(一层70微米厚)排水沟连接铜面积1.5mm的环氧树脂印刷电路板FR4的。 PCB是没有吹空气垂直。 4Co(二)是一个固定电容,给出相同的存储为科斯能量,而自愿离职计划是从零上升到80%VDSS。 5Co(TR)的是一个固定电容,给出相同的充电时间,同时为科斯VDS是从0到80%VDSS上升