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SPN04N60S5

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
SPN04N60S5 infineon 2010 2000

特色•新的革命高电压技术•全球最好的RDS采用SOT 223•超低栅极电荷•极端的DV（上）/ dt的评分•超低电容•有效改善跨导

40毫米* 40毫米的1Device *与6厘米²（一层70微米厚）排水沟连接铜面积1.5mm的环氧树脂印刷电路板FR4的。 PCB是没有吹空气垂直。林后（二）是一个固定电容，给出相同的存储为科斯能量，而自愿离职计划是从零上升到80％VDSS。 3Co（TR）的是一个固定电容，给出相同的充电时间，同时为科斯VDS是从0到80％VDSS上升。

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