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SPD02N60C3

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
SPD02N60C3 infineon 2010 3730
特色•新的革命高电压技术•超低栅极电荷•定期雪崩额定•极端的dv / dt的有效评分•超低电容
1Repetitve雪崩导致额外的功率，可作为PAV老化=计算损失的EAR *楼40毫米* 40毫米的2Device *与6厘米²（一层70微米厚）排水沟连接铜面积1.5mm的环氧树脂印刷电路板FR4的。 PCB是没有吹空气垂直。 3Co（二）是一个固定电容，给出相同的存储为科斯能量，而自愿离职计划是从零上升到80％VDSS。 4Co（TR）的是一个固定电容，给出相同的充电时间，同时为科斯VDS是从0到80％VDSS上升。
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