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SPA11N80C3

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
SPA11N80C3 infineon 2010 20850
特色•新的革命高电压技术•超低栅极电荷•定期雪崩额定•极端的dv / dt的评分•超低电容•有效•改进的跨导的P -的TO - 220 - 3 - 31：完全隔离封装（2500伏; 1分钟）
1Limited的最高温度2Repetitve雪崩不仅造成额外的电源，可作为PAV老化=计算损失的EAR *楼3Soldering温度的TO - 263：220℃，回流4Co（ER）的是一个固定电容，给出相同的存储为科斯能量，而自愿离职计划是从零上升到80％VDSS。 5Co（TR）的是一个固定电容，给出相同的充电时间，同时为科斯VDS是从0到80％VDSS上升。
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