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ILD03N60
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封装
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ILD03N60
infineon
2010
39950
LightMOS大功率晶体管•新高电压技术,零电压开关式镇流器的灯具开关设计与集成逆向••4A条为二极管的IGBT比MOSFET的••雪崩高达10倍更低的栅极电容的反向二极管的额定电流额定•150 ° C的工作温度•FullPak株2.5千伏交流(1分钟)。
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