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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
FCPF11N65 | FSC | 09+ | 30000 | TO-220F |
一般描述SuperFETTM是一种高电压MOSFET的从优秀的低导通电阻和低栅电荷性能,利用先进的专有技术成果电荷平衡机制飞兆半导体的新一代。这种先进的技术已针对减少传导损耗,提供出色的开关性能,并能够承受极端的dv / dt的速度和较高的雪崩能量。因此,是非常适合的SuperFET各种AC / DC电源转换开关系统适合于小型化和高效率的运作模式。
特点•650V的@温度Tj = 150℃•典型。的RDS(ON)=0.32Ω•超低栅极电荷(典型的Qg = 40nC)•低有效输出电容(典型值Coss.eff = 95pF)•100%雪崩测试