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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
IRFU220 | IR | 10+ | 18000 | TO-251 |
特点•4.6A,200V的•的RDS(ON)=0.800Ω•单脉冲雪崩能量额定功率耗散•SOA是纳秒级的开关速度有限公司••线性传输特性•高输入阻抗•相关的文学 - TB334用于焊接表面“指引安装元件以PC板“
4.6A,200V的,0.800 Ohm的N通道功率
MOSFET的
这些是N沟道增强型硅栅
功率场效应晶体管。他们是先进的电源
MOSFET的设计,测试,保证能够承受
指定级别的能源模式,在雪崩击穿
经营。这些功率MOSFET均设计为
应用,如开关稳压器,开关
转换器,电机驱动器,继电器驱动器,驱动器和高
功率双极晶体管开关速度快,要求高
低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作
从集成电路。