说明专为汽车应用而设计的,这的HEXFET ®功率MOSFET采用了最新的加工技术,以实现对每硅片面积阻力极低。这种设计的附加功能是175 ° C结工作温度,开关速度快,改进型重复雪崩评级。这些功能COM的茎,使这个设计一个用于在汽车应用程序和其他各种应用非常有效和可靠的设备。
特性先进工艺技术的超低导通电阻175 ° C工作温度快速开关重复性雪崩中允许多达Tjmax