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IRF244N

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
IRF244N IR 05+ 10000 TO220

特点•14A及13A条，275V和250V•的RDS（ON）=0.28Ω和0.34Ω•单脉冲雪崩能量额定功率耗散•SOA是纳秒级的开关速度有限公司••线性传输特性•高输入阻抗•275V，250V直流额定 - 120V交流线路系统运行•相关的文学 - TB334“为准则焊接表面安装到PC板组件”

描述这些是N沟道增强型硅栅功率场效应晶体管。他们是先进的电源设计，测试，保证在经受住了能源雪崩击穿的运作模式指定级别的MOSFET。这些功率MOSFET均设计为应用，如开关稳压器，开关凸，职责范围，电机驱动器，继电器驱动器，以及高功率驱动双极型晶体管的开关速度要求高，低栅极驱动电源。这些类型可以直接操作从集成电路。

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