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型号 | 品牌 | 批号 | 数量 | 封装 | 备注 |
DMN10H170SVT-7 | DIODES | 22+ | 2013000 | SOT23-6 | DIODES全新现货,价格优势 |
型号:DMN10H170SVT-7
品牌:DIODES
封装:SOT23-6
批号:22+
数量:2013000
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TSOT-26-6
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 2.6 A
Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 9.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.2 W
通道模式: Enhancement
系列: DMN10
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 12 ns
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 11 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 42 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 1.6 mm
单位重量: 8 mg