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FGA25N120ANTDTU_F109

型号 品牌 批号 数量 封装 备注
FGA25N120ANTDTU_F109 Fairch 10+ 5000 TO-3P

FGA25N120ANTDTU_F109离子回旋口NDUCT口RGO
FGA25N120ANTD/FGA25N120ANTD F109 1200V的不扩散核武器条约沟道IGBT
说明
     利用飞兆半导体专有的沟槽设计和先进的技术不扩散条约，条约的1200V的IGBT的零忏'再培训计划的传导和开关性能优越，高耐用性和方便雪崩并联运行
特点
不扩散核武器条约沟槽技术，正温度系数
这种器件非常适合于软开关谐振或appli ?阳离子如感应加热，微波炉等
     ?低饱和电压：的VCE（星期六），典型值= 2.0V时@ = Ic的第25A和TC = 25℃
     ?低开关损失：埃夫，典型值= 0.96mJ @ = Ic的温度T c = 25A及25℃
极雪崩能力提高
茂<?可→→『0202 - O的田→
      ?
     的TO - 3PN
绝对最大额定值
符号说明FGA25N120ANTD单位
VCES集电极发射极电压1200 V
VGES栅极发射极电压± 20 V的
集电极电流Ic的我在Tc = 50一25℃
集电极电流I在Tc = 100℃25甲
ICM的集电极电流脉冲（注1）90甲
如果二极管持续正向电流I @锝25 = 100 ° C的一个
IFM的二极管最大正向电流150甲
PD的最大功率耗散我在Tc = 25℃312 W
最大功率耗散我在Tc = 100℃125瓦
TJ工作结温度-55到+150。?
Tstg存储温度范围-55到+150。?
热释光温度最高的铅。为焊接300。?
目的，1 / 8案“5秒
热特性
典型。
单位
。CIW中
马克斯。
0.4
参数
热阻，结到IGBT的热阻，结到的二极管案例案例
符号
RSJC RSJC RSJA
。CIW中
。CIW中
2.0
40
热阻，结到环境
www.fairchildsemi.com
     。02007飞兆半导体CorporationFGA25N120ANTD / FGA25N120ANTD F109 B2的牧师
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