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三星12英寸闪存芯片二期第二阶段项目正式启动！

　　三星电子一期投资108亿美元，建成了三星电子存储芯片项目和封装测试项目;二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。

　　其中，二期项目第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产;第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户。

　　2017年8月30日，三星电子株式会社与陕西省政府签署了投资合作协议，决定在西安高新综合保税区内建设三星(中国)半导体有限公司存储芯片二期项目。

　　今年12月10日，三星电子闪存芯片项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。

　　2018年3月28日，三星电子高端存储芯片二期项目正式启动，目前，项目前期基础设施建设和厂房建设已经完成，即将进入内部装修和机电设备安装阶段。

　　三星(中国)半导体有限公司董事长任伯均表示，二期项目建成后，三星(中国)半导体公司将成为世界领先的闪存芯片生产基地。

　　据此前西安日报报道，目前“西安造”的高端存储芯片占到整个三星同类产品的37%，占到全世界同类产品的13%。